三菱IPM模块PM50CLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CLA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50RSA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50CTK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CTK060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50RSK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSK060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50EHS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50EHS060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50RHB060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RHB060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50CSE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CSE060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50RHA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RHA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。