三菱IPM模块PM75EHS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75EHS060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75RVA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RVA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75CSE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CSE060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75RSE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RSE060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75CSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CSD060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75RSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RSD060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75CBS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CBS060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50RLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RLA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。