三菱IPM模块PM50RVA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RVA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75CSD120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CSD120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50RLA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RLA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75CVA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CVA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75RHA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RHA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75CLA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CLA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75RLA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RLA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75RHA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RHA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。