智能IGBT模块PM100CVA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM100CVA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM150RSA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM150RSA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM100RRS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM100RRS060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM75CVA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RRA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM75RRA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RRA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM75CTK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CTK060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM75RSA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RSA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM75CFE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CFE060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。