欢迎来到hth苹果手机!
服务热线:010-64824799
产品分类
Cassification
产品展示/ Product display
CM200E3Y-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200E3Y-12E。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3250
CM150E3U-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150E3U-12E。型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3250
CM150E3Y-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3656
CM100E3U-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM100E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3380
CM75E3U-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM75E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3402
CM75E3Y-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM75E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3563
CM75E3U-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3351
CM50E3Y-12Ehth苹果手机原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
2024-01-19
经销商
3201
P
PRODUCTSN
NEWSA
ABOUT USC
CODE

联系电话:15010040708

联系邮箱:1316056746@qq.com

公司地址:北京市朝阳区中东路398号
Copyright © 2025 hth苹果手机版权所有 备案号:京ICP备13035189号-3 技术支持:智能制造网